熒光物質(zhì)使用，在第二次世界大戰(zhàn)期間首次制造出高純氧化鈹陶瓷。1946年了解到氧化鈹具有極高的導熱系數(shù)。并且當時主要用在原子核裝置中。直到50年代中期，氧化鈹在電子學、測量儀器、通信和航天技術(shù)中出現(xiàn)應用。
氧化鈹?shù)娜刍瘻囟确秶鸀?/span>2530℃~2570℃，其理論密度為3.02g/BeO作為絕緣材料始于1928年，不過直到1930年為止，BeO主要是混以其他材料作為㎝3，在真空中可在1800℃下長期使用，在惰性氣體中可在2000℃下使用，在氧化氣氛中1800℃才揮發(fā)。氧化鈹陶瓷的最突出性能是導熱系數(shù)大，與金屬鋁相近，是氧化鋁6~10倍，是一種具有獨特的電的、熱的和機械性能的介質(zhì)材料，沒有其他任何材料顯示出這樣全面的綜合性能。氧化鈹與其他絕緣材料性能對比列于表1。
氧化鈹陶瓷因其具有高導熱系數(shù)、高熔度、強度、高絕緣、低電介常數(shù)、低介質(zhì)損耗以及良好的封裝工藝適應性等特點，在微波技術(shù)、電真空技術(shù)、核技術(shù)、微電子與光電子技術(shù)領(lǐng)域受到重視和應用，尤其是在大功率半導體器件、大功率集成電路、大功率微波真空器件及核反應堆中。